Тайбэй, Тайвань – 31 октября 31 2013 ––SP/Silicon Power, мировой лидер в производстве решений памяти, сегодня торжественно представляет последние разработки в области оперативной памяти –  DDR3L-1333 и DDR3L-1600 серии ультра-низковольтных модулей. Рабочее напряжение для этих модулей составляет 1.35 вольта, что позволяет эффективно снизить потребление энергии, не жертвуя производительностью. Кроме экономии энергии при долгой работе, ультра низковольтные DRAM модули Silicon Power существенно сокращают бесполезное выделение тепла, что помогает продвинутым геймерам, профессионалам фото и видеосъемки и увлеченным сборщикам создавать дружественные для окружающей среды рабочие станции.

Серия ультра-низковольтных модулей Silicon Power DDR3L предлагает выбор от UDIMM до SO-DIMM при частотах 1333MHz и 1600MHz, обеспечивая пользователей ПК и ноутбуков экономией энергии до 20% из-за низкого энергопотребления данными модулями. Более того, серия DDR3L от Silicon Power полностью совместима с новейшими платформами Intel® Haswell, идеально подходящими для тех пользователей, которые предпочитают экологичную и энергосберегающую альтернативу, наслаждаясь при этом максимальной производительностью их системы.

Серия ультра-низковольтных модулей Silicon Power DDR3L включает продукты, произведенные из тщательно отобранных оригинальных чипов, протестированных на 100%, чтобы гарантировать высочайшие стандарты стабильности, долговечности и совместимости. Все модули оперативной памяти Silicon Power обеспечиваются ограниченной пожизненной гарантией. Дополнительную информацию вы можете получить на официальном сайте Silicon Power – www.silicon-power.com.

Отличительные особенности:

- Высокая производительность, экономия энергии, снижение теплоотдачи

- Только оригинальные чипы

- 100% протестировано для стабильности, долговечности и совместимости

- Идеально подходят для виртуальных и облачных систем

- Экономия энергии до 20%

- Ограниченная пожизненная гарантия

Спецификация:

- Тип: DDR3 низковольтная память

- Количество контактов: 240 для UDIMM и 204 для SO-DIMM

- Частота: DDR3-1333MHz или 1600MHz

- Емкость: 2ГБ / 4ГБ / 8ГБ

- Организация чипов: 256Mx8 / 512Mx8

- Рабочее напряжение: 1.35 В

- CAS Latency: 9 (1333MHz) / 11 (1600MHz)

Приобрести новинку можно у своих менеджеров в компании Zeon.

Многоканальный телефон (495) 955-51-99.

Скачать брошюру «Игровая память DDR3 серии Black Dragon от GeIL» (PDF)

Фаунтин Вэлли, шт. Калифорния, 8 ноября 2011 г. – Компания Kingston Technology, ведущий мировой независимый производитель устройств хранения данных, сегодня объявила о том, что Ocaholic.ch, швейцарское сообщество любителей разгона, установило два новых мировых рекорда с помощью самого быстрого набора на основе двухканальных модулей памяти Kingston® HyperX®, 2544 МГЦ (номер по каталогу Kingston: KHX2544C9D3T1FK2/2GX).

Два новых рекорда для модулей памяти DRAM были установлены 20 октября 2011 г. швейцарскими оверклокерами Роджером Таннером (splmann) и Марком Восером (Besi) в ходе IM.TOP — ярмарки-выставки швейцарских дистрибуторов компании Ingram Micro в г. Люцерн. Модули Kingston HyperX были разогнаны до частоты 3095 МГц (CL6) и 3175 МГц (CL8). Это самые высокие частоты, которые когда-либо были достигнуты для модулей памяти со значениями тайминга CL6 и CL8. При разгоне использовалась система охлаждения на основе жидкого азота. Модули были установлены в специальный кулер, выполненный из алюминия и меди, а внутреннее пространство было заполнено жидким азотом с температурой -196 °C.

«Во всем мире существует множество сообществ энтузиастов, которые постоянно проводят эксперименты по разгону различных компонентов вычислительных систем, пытаясь добиться предельных значений, – рассказывает Марк Бучел (Marc Büchel), главный редактор и основатель портала Ocaholic.ch, который выступил с инициативой провести очередные испытания по разгону в Швейцарии. – Наша платформа стала одним из лучших решений для разгона модулей памяти, и мы рады, что смогли побить мировой рекорд по модулям CL7, установленный нашими французскими коллегами Бенджамином Буи и Жаном-Батистом Жераром в августе этого года. Но мы не собираемся останавливаться на достигнутом и надеемся, что мировое сообщество по достоинству оценит наши достижения».

Более подробная информация доступна в сети Интернет:

• Обзор испытаний (на английском языке)
• Подтверждение установленного рекорда – 3095 МГц (CL6)
• Подтверждение установленного рекорда – 3175 МГц (CL8)
• Фотографии мероприятия

Новая планка нуждается в напряжении 1,5 В и работает на частоте 1333 МГц при конфигурации задержек CL9 (9-9-9-28). В модуле применяются чипы от Micron, которые, как указывается, обеспечивают повышенную стабильность даже при использовании в компьютере 4 планок памяти общим объёмом 32 Гбайт. Что означает данное заявление, не вполне ясно, но отсутствие коррекции ошибок ECC, действительно, может помешать работе такого массива памяти.

8-Гбайт модули GOODRAM можно будет приобрести как отдельно, так и в 16-Гбайт наборе из двух планок. К сожалению, на данный момент нет никаких сведений о стоимости и времени поступления в продажу. Аналогичный недавно анонсированный продукт от немецкой Exceleram обойдётся покупателям в $50, то есть сегодня стоимость 32-Гбайт массива DDR3 составит порядка $200.

29.11.2011, Константин Ходаковский
По материалам сайта 3Dnews.ru

Тайваньская компания ADATA Technology Co., мировой лидер по производству модулей DRAM и устройств хранения информации на флeш-памяти, сообщает о выпуске одинарных модулей памяти высокой емкости DDR3-1333 8ГБ. Благодаря объединению высоких технологий и строгого контроля качества, данные модули обеспечат высокими вычислительными возможностями как профессиональных пользователей, так и энтузиастов.

Компания ADATA продолжает стремится к обеспечению высокой производительности и стабильных решений для каждого модуля памяти. Одинарный модуль памяти DDR3-1333 Premier Series емкостью в 8ГБ замечательно подойдет для профессиональных пользователей. Так как пространство на материнских платах ограничено, одной из самых распространенных проблем можно назвать недостаточное количество слотов DRAM. Теперь, благодаря использованию модулей памяти более высокой емкости, пользователи смогут значительно увеличить производительность системы.

Модули памяти ADATA DDR3 1333 МГц Premier Series, 240-контактные (Unbuffered DIMM) и 204-контактные (SO-DIMM), рассчитаны на работу при напряжении в 1,5 вольт и способны пропускать до 10,6 Гб/сек по стандарту PC3-10600. Благодаря специальной технологии совмещения пакетов DRAM 4Гбит, ADATA создала одинарный модуль памяти с наибольшей емкостью, доступной на сегодняшний день. Компания ADATA строго соблюдает нормативы качества Объединенного инженерного совета по электронным приборам JEDEC (Joint Electron Device Engineering Council, JEDEC Solid State Technology Association) и стандарты дизайна и производства директивы RoHS (Restriction of Hazardous Substances) в целях создания экологически безопасных устройств, совместимых с любыми компьютерными системами. Для обеспечения пользователей еще большей уверенностью пользования, на модули памяти Premier Series распространяется пожизненная гарантия и обслуживание*.

Характеристики продукта:

• 8ГБ
• 240-контактный Unbuffered DIMM / 204-контактный SO-DIMM
• Соответствие стандартам JEDEC
• Корпус FBGA (Fine-Pitch Ball Grid Array)
• Соответствие стандартам RoHS

Более подробную информацию вы можете найти на сайте производителя:
http://www.adata.com.tw/index.php?action=product_feature&cid=6&piid=49